6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強企業(yè)，同時也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者，三菱電機攜19款功率模塊集體亮相。其中，7款備受矚目的新品在發(fā)布會上一一揭秘，吸睛無數(shù)。

三菱電機半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dr. Gourab Majumdar、大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體總經(jīng)理楠·真一 、大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)宋高升、大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體市場總監(jiān)錢宇峰、三菱電機捷敏功率半導(dǎo)體(合肥)有限公司技術(shù)服務(wù)中心總監(jiān)商明、大中國區(qū)三菱電機半導(dǎo)體 公關(guān)宣傳主管閔麗豪悉數(shù)出席此次新品發(fā)布會。

自從在1996年推出DIPIPMTM后，截止到目前，三菱電機累計出貨量已超過5億顆，一個月產(chǎn)能達(dá)到720萬片，接下來，三菱電機還將進一步擴充產(chǎn)能。為了進一步鞏固三菱電機功率半導(dǎo)體在變頻家電市場的領(lǐng)先地位，三菱電機將依托位于合肥的功率半導(dǎo)體工廠和聯(lián)合實驗室，為中國客戶提供更好、更快的支持;而在鐵道牽引、電動汽車和工業(yè)新能源應(yīng)用領(lǐng)域，三菱電機將持續(xù)性地聯(lián)合國內(nèi)知名大學(xué)和專業(yè)設(shè)計公司，開發(fā)本地化的基于新型功率半導(dǎo)體的整體解決方案。

三菱電機功率器件在變頻家電、工業(yè)、新能源、軌道牽引、電動汽車、五大應(yīng)用領(lǐng)域不斷創(chuàng)新，新品迭出。

在變頻家電領(lǐng)域，面向變頻冰箱和風(fēng)機驅(qū)動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊、表面貼裝型IPM有助于推動變頻家電實現(xiàn)小型化。

在工業(yè)應(yīng)用方面，三菱電機第七代IGBT和第七代IPM模塊，首次采用SLC封裝技術(shù)，使得模塊的應(yīng)用壽命大幅延長。在新能源發(fā)電特別是風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，今年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊，有利于提升風(fēng)電變流器的功率密度和性能價格比。

在軌道牽引應(yīng)用領(lǐng)域，X系列HVIGBT安全工作區(qū)域度大、電流密度增加、抗?jié)穸若敯粜栽鰪姡兄谶M一步提高牽引變流器現(xiàn)場運行的可靠性。而在電動汽車領(lǐng)域，J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、內(nèi)部雜散電感低的特性。

在新品中，首次展出的表面貼裝型IPM尤其亮眼，該新品適用于家用變頻空調(diào)風(fēng)扇、變頻冰箱、變頻洗碗機等電機驅(qū)動系統(tǒng)。三菱電機計劃于9月1日開始發(fā)售此產(chǎn)品。

據(jù)悉，這款產(chǎn)品將構(gòu)成三相逆變橋的RC-IGBT(反向?qū)↖GBT)、高電壓控制用IC、低電壓控制用IC，以及自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個封裝中。 該產(chǎn)品采用外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的表面封裝型，可以通過回流焊接裝置安裝到印刷電路板上去。

表面貼裝型IPM具有三大特性：一，通過表面貼裝，使系統(tǒng)安裝變得更容易;二，該產(chǎn)品通過內(nèi)置控制IC以及最佳的引腳布局，在實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化并使基板布線簡化方面具有積極意義;三，而通過內(nèi)置保護功能，可以幫助提高系統(tǒng)的設(shè)計自由度，這是第三大特性。

宋高升表示，2018年，三菱電機將在以上五大領(lǐng)域，強化新產(chǎn)品的推廣和應(yīng)用力度。在變頻家電領(lǐng)域，三菱電機將在分體式變頻空調(diào)和變頻洗衣機中擴大和強化SLIMDIP-L的應(yīng)用，在空調(diào)風(fēng)扇和變頻冰箱中逐步擴大SLIMDIP-S的應(yīng)用，在更小功率的變頻家電應(yīng)用中逐步推廣使用表面封裝型IPM。在中低壓變頻器、光伏逆變器、電動大巴、儲能逆變器、SVG、風(fēng)力發(fā)電等應(yīng)用中，三菱電機將強化第7代IGBT模塊的市場拓展;而在電動乘用轎車領(lǐng)域，三菱電機將為客戶提供電動汽車專用模塊和整體解決方案;在軌道牽引領(lǐng)域，將最新的X系列HVIGBT的推廣到高鐵、動車、地鐵等應(yīng)用領(lǐng)域。

六十年以來，三菱電機之所以能夠一直保持行業(yè)領(lǐng)先地位在于持續(xù)性和創(chuàng)新性的研究與開發(fā)。在功率半導(dǎo)體最新技術(shù)發(fā)展方面，IGBT芯片技術(shù)一直在進步。

SiC作為下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向，與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優(yōu)勢是開關(guān)損耗大幅減小。對于特定逆變器應(yīng)用，這種優(yōu)勢可以減小逆變器尺寸，提高逆變器效率及增加開關(guān)頻率。目前，基于SiC功率器件逆變設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷擴大。但受制于成本因素，目前SiC功率器件市場滲透率很低，隨著技術(shù)進步，碳化硅成本將快速下降，未來將是功率半導(dǎo)體市場主流產(chǎn)品。

三菱電機從2013年開始推出第一代碳化硅功率模塊，事實上，早在20多年前，三菱電機就開始了針對SiC技術(shù)的開發(fā);2015年開始，SiC功率器件開始進入眾多全新應(yīng)用領(lǐng)域，同年，第一款基于全SiC的功率模塊，并由三菱電機開發(fā)的機車牽引系統(tǒng)在日本新干線安裝使用。其SiC功率模塊產(chǎn)品線涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V，目前均可提供樣品。

由于碳化硅需求量急速增長，2017年，三菱電機投資建造6英寸晶圓生產(chǎn)線，配合新技術(shù)來縮少芯片尺寸，目前該產(chǎn)線的建設(shè)正按計劃推進中。

電力電子行業(yè)對功率器件的要求更多地體現(xiàn)在提升效率與減小尺寸功率密度方面，因此新型SiC mosFET功率模塊將獲得越來越多的應(yīng)用。為了滿足功率器件市場對噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求，三菱電機一直致力于研究和開發(fā)高技術(shù)產(chǎn)品。正在加緊研發(fā)新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術(shù)， 該技術(shù)將進一步改善短路耐量和導(dǎo)通電阻的關(guān)系，并計劃在2020年實現(xiàn)新型SiC MOSFET模塊的商業(yè)化。